特許

J-GLOBAL ID：200903002822826987

半導体基板の平坦化方法並びにこの方法に使用されるエッチヤント

発明者： ハンス-ユルゲン・クルビーヌス ,  ラインハート・セルマー
出願人/特許権者： エスイーゼット セミコンダクター -イクイプメント ツベヘーア フュア ジ ハルブライターフェルティグング アーゲー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162930
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】エッチング速度が遅くならず、簡単な工程で、半導体基板に形成された溝並びに/もしくはコンタクトホールにののみコーティング材料を残すことが可能な半導体基板の平坦化方法。【解決手段】半導体基板1の表面のコーティング3を、このコーティングが基板に形成された溝3bの領域内に独占的に残るように、半導体基板を回転させて、エッチャントにより、除去する。このエッチャントは、少くとも0.4 l/min、好ましくは、1 l/minの流量で供給半導体基板の表面に表面に連続した体積流で供給される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面のコーティングを、このコーティングが基板に形成された少くとも1つの溝並びに/もしくはコンタクトホールの領域内に独占的に残るように、半導体基板を回転させて、エッチャントにより、除去する半導体基板の平坦化方法体において、エッチャントは、平坦化される表面に連続した体積流で供給されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/14 ,  H01L 21/308

FI (5件)：

H01L 21/306 Q ,  C23F 1/14 ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平2-271526
  
• 特開平2-271526
  
• 特開平2-051229
  
• 特開平2-271526
  
• 特開平2-051229
  
• エッチング方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-071689   出願人：株式会社テラテック