特許

J-GLOBAL ID：200903002827827027

窒素-3族元素化合物半導体発光素子

発明者： 小出 典克 ,  山崎 史郎 ,  梅崎 潤一 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291367
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN 発光ダイオードにおける発光色の青色化【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約 0.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、Mg及びS ドープGaN から成る活性層5、膜厚約0.2 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープの高キャリア濃度p+ 層6が形成されている。活性層にドナーとなるイオウ(S) をドープしたので放射される光の中心波長を長波長側に推移させることができた。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、マグネシウム(Mg)のドープされたp型の窒素-3族元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)からなるp層とを有する窒素-3族元素化合物半導体発光素子において、前記p層と、前記n層との間に、ドナー不純物とマグネシウム(Mg)がドープされた活性層を形成したことを特徴とする発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079046   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985
  
• 特開平3-218625
  
• 特開平4-242985
  
• 特開平3-218625