特許

J-GLOBAL ID：200903002838402109

相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料

発明者： クズバティユ、ウォルドディミール ,  オブシンスキー、スタンフォード アール. ,  ストランド、デイヴィッド エイ. ,  クラースィ、パトリック
出願人/特許権者： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-519794
公開番号（公開出願番号）：特表2001-502848
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】活性な相変化性メモリ材料と不活性な誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料である。相変化性材料は、Te、Se、Ge、Sb、Bi、Pb、Sn、As、S、Si、P、O並びにこれらの混合物もしくは合金からなるグループから選択された1つ以上の元素を含む。単一セルメモリ素子は、前述の複合メモリ材料と1対の離間配置されたコンタクトとから成る。

請求項（抜粋）：

活性な相変化性メモリ材料と不活性な誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平3-238882
  
• 配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-069199   出願人：ソニー株式会社
• 特表平6-509909
  
• 特開平3-238882
  
• 特表平6-509909
  
• 特開平3-238882
  
• 特表平6-509909