特許
J-GLOBAL ID：200903084306625831
配線構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260445
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、反応防止層の最下層の配向と最上層の配向を異なるものに成膜して、下地との接続性の向上を図るとともに配線のモホロジーの向上を図る。【構成】 半導体基板11上に形成した反応防止層13と、それに接続する配線16とよりなるもので、反応防止層13は、複数層よりなり、少なくとも最上層の金属系材料層15と最下層の金属系材料層14とは同一金属系材料で形成され、かつ当該最上層の金属系材料層15の配向と当該最下層の金属系材料層14の配向とが異なるものであって、例えば、最上層の金属系材料層15は、スパッタ法で成膜した(111)配向の窒化チタン膜よりなり、最下層の金属系材料層14は、CVD法で成膜した(200)配向の窒化チタン膜よりなり、配線16は、例えば高温スパッタ法で成膜した(111)配向のアルミニウム系金属膜よりなる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した反応防止層と、前記反応防止層を介して前記基板に接続する配線とよりなる配線構造において、前記反応防止層は、複数層よりなり、少なくとも当該反応防止層を構成する最上層の金属系材料層と最下層の金属系材料層とは同一金属系材料で形成されていて、かつ当該最上層の金属系材料層の配向と当該最下層の金属系材料層の配向とが異なるものであることを特徴とする配線構造。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
