特許
J-GLOBAL ID：200903002842934158
光・電子機能材料およびその薄膜の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061839
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273811
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 新規な有機n型FETやより優れたp型FETなどの電子デバイス、電界効果型光変調素子などの優れた光デバイスを得る。【構成】 Cn化合物と、Cnとは異なる電子供与性のπ共役系化合物から構成される光・電子機能材料。この材料は、たとえばα-チェニレン6量体の膜22およびC60の膜23として、基板20上の絶縁膜21ならびにソース電極24およびドレイン電極25の上に積層されてn型FETを提供する。
請求項（抜粋）：
一般式Cn(nは60以上の整数)で示される少なくとも1種の化合物と、前記Cnとは異なる少なくとも1種のπ共役系化合物とから構成される光・電子機能材料。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, H01L 29/28
, H01L 29/784
