特許
J-GLOBAL ID：200903002846048446

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
菅原 秀人

菅原 秀人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-367549
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200431
出願日： 2002年12月19日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】十分な接触抵抗のp電極をもつ窒化物系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】p型GaNコンタクト層16上にAlGaN膜17を島状に成長させる工程と、前記島状のAlGaN膜17をマクスとして前記p型GaNコンタクト層16を選択的にエッチングして突形状ドット18を形成する工程と、前記突形状ドット18を形成した電極形成領域上にp型のオーミック電極19を形成する工程を有する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体または絶縁体基板上に第1導電型の窒化物系半導体層、pn接合を有する窒化物系半導体層からなる発光層および第2導電型の窒化物系半導体層を順次形成する工程と、 次に、この第2導電型の窒化物系半導体層上にAlGaN膜を島状に成長させる工程と、 この島状のAlGaN膜をマクスとして、第2導電型の窒化物系半導体層の表面を選択的にエッチングし、表面に不均一な段差形状を形成する工程と、 しかる後、この不均一な段差形状を有する第2導電型の窒化物系半導体層表面にオーミック電極を形成する工程と、 を有することを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/302
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/302 201A
Fターム (48件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F004BD04 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004EA03 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045EB15 ,  5F045HA13 ,  5F045HA22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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