窒化物系半導体素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192722
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016312
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】電極との接触抵抗を低減することにより動作電圧の低減を図ることが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体レーザ素子100は、サファイア基板1の(0001)面上に、バッファ層2、アンドープGaN層3、n-GaNコンタクト層4、n-InGaNクラック防止層5、n-AlGaNクラッド層6、MQW発光層7、p-AlGaNクラッド層8およびp-GaNコンタクト層9が順に積層されてなる。p-GaNコンタクト層9およびp-AlGaNクラッド層8にリッジ部が形成され、リッジ部上面に凹凸形状が形成されている。また、エッチングにより露出したn-GaNコンタクト層4の所定領域表面に凹凸形状が形成されている。さらに、凹凸形状が形成されたp-GaNコンタクト層4上にp電極10およびn電極11が形成されている。

請求項（抜粋）：

III 族窒化物系半導体層の電極形成領域の表面に周期的または不規則に凹凸形状が形成され、前記凹凸形状が形成された電極形成領域上面にオーミック電極が形成されたことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/042 610 , H01L 21/28 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01S 5/042 610 , H01L 21/28 A , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 5/343

Fターム (26件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD24 , 4M104FF31 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA91 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA25 , 5F073DA35 , 5F073EA23 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-218214 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-159171 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭57-148383

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