特許
J-GLOBAL ID:200903002868168844
電子ビーム描画方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-079117
公開番号(公開出願番号):特開平6-267833
出願日: 1993年03月12日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 近接効果,入射電子ビームのぼけ,レジスト中での電子ビームの前方散乱及び現像時におけるパターン寸法精度劣化を防止し、且つ補正計算に要する時間を大幅に短縮することができる電子ビーム描画方法を提供することにあることにある。【構成】 試料上に電子ビームを照射して所望パターンを描画するに先立ち、描画すべきパターン内の各位置毎に最適照射量を求め、この最適照射量にて各パターンを描画する電子ビーム描画方法において、予め後方散乱電子の寄与に対応した最適照射量又は照射時間の参照用テーブルを設けておき、パターン内の各描画位置毎に最適照射量を求める際に、後方散乱電子の寄与を計算し、該計算によって得られた後方散乱電子の寄与に応じた最適照射量又は照射時間を、テーブルを参照して決定することを特徴とする。
請求項(抜粋):
試料上に電子ビームを照射して所望パターンを描画するに先立ち、描画すべきパターン内の各位置毎に最適照射量を求め、この最適照射量にて各パターンを描画する電子ビーム描画方法において、予め後方散乱電子の寄与に対応した最適照射量又は照射時間の参照用テーブルを設けておき、パターン内の各描画位置毎に最適照射量を求める際に、後方散乱電子の寄与のみを計算し、該計算によって得られた後方散乱電子の寄与に応じた最適照射量又は照射時間を、前記テーブルを参照して決定することを特徴とする電子ビーム描画方法。
引用特許: