特許

J-GLOBAL ID：200903002887952742

半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置

発明者： 永井 秀男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 中島 司朗 ,  松村 修治 ,  小林 国人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-529398
公開番号（公開出願番号）：特表2007-529879
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。【解決手段】GaN系半導体からなるp-GaN層10とn-GaN層14とで多重量子井戸発光層12を挟んだ量子井戸構造を有し、n-GaN層14側から光を取り出す構成としたLEDチップ2において、p側電極24を以下の構成とした。p側電極24のp-GaN層10に臨む面を、円柱状をした複数の凸部24Aが略一様に分散されてなる凹凸面24Bに形成し、前記凸部24Aの頂部とp-GaN層10を接合することとした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなる、p型半導体層と量子井戸発光層と当該量子井戸発光層から発せられた光の取出し側となるn型半導体層とがこの順に積層された半導体多層膜と、 前記p型半導体層に対向して設けられていて、当該p型半導体層とオーミック接続されているp側電極と、 を有し、 前記p型半導体層は、前記p側電極からの電流が、残余の領域よりも集中して注入される集中注入領域であって、当該p型半導体層の略全面に渡る集中注入領域を有する半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  F21S 8/04

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  F21S1/02 G

Fターム (36件)：

3K243MA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB02 ,  5F041CB04 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78 ,  5F041DB08 ,  5F041DB09 ,  5F041EE11 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-300915   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子及び発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-134823   出願人：日亜化学工業株式会社