特許
J-GLOBAL ID：200903029038646676

窒化物半導体発光素子及び発光装置

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330552
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 長波長の窒化物半導体発光素子の出力を向上させると共に、窒化物半導体発光素子を用いた高出力な発光装置を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を具備する第1の発光素子と、第1の発光素子よりもIn含有量が多い窒化物半導体からなる井戸層を有する第2の発光素子とを有する窒化物半導体発光装置において、第2の発光素子の井戸層数が、前記第1の発光素子の井戸層数よりも多い。井戸層の数を増やすことによって障壁層の数が増え、その障壁層で井戸層の結晶性を良くすることにより、Inの多い井戸層が成長できる。
請求項（抜粋）：
Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を具備する第1の発光素子と、第1の発光素子よりもIn含有量が多い窒化物半導体からなる井戸層を有する第2の発光素子とを比較して、前記第2の発光素子の井戸層数が、前記第1の発光素子の井戸層数よりも多いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM