特許
J-GLOBAL ID：200903002911127120
荷電粒子ビームを用いた検査方法およびそれを用いた検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100823
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】半導体デバイス等の部分的に完成した基板の欠陥検査において,欠陥の検出とその種類を判別し,さらに基板全面の電気抵抗の分布を求めることが可能な検査装置および検査方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ18に荷電粒子ビーム34を照射し,検査領域を帯電させる。荷電粒子ビームの照射条件を変化させ,帯電電圧が所望の値に等しいか否かの確認を行うために帯電電圧の測定を行う。上記所望の帯電電圧にした後,電位コントラスト像を取得し,その像の信号から電気抵抗値の算出を行う。【効果】微小部分の所望の帯電電圧における電気抵抗や,電気抵抗の電圧依存性が測定可能になり、欠陥の種類を判別することができるようになった。その結果、半導体デバイスその他の基板の不良率を低減し生産性を高めることができ、半導体デバイス等の信頼性を高め、新製品等の開発効率が向上し,製造コストが削減できる。
請求項（抜粋）：
試料上の所定領域を荷電粒子ビームで走査する工程と,荷電粒子ビームの照射条件を決定する工程と,試料上の所定領域の帯電電圧を測定する工程と,前記所定領域から発生する二次電子や後方散乱電子を検出する工程と,検出された信号を記憶する工程と,前記記憶された信号と前記予定領域を照射した荷電粒子ビームの電流値とから電気抵抗値を算出する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子ビームを用いた検査方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01R 1/06
, G01R 31/302
, G21K 5/04
, H01J 37/28
H01L 21/66 C
, G01R 1/06 F
, G21K 5/04 M
, H01J 37/28 A
, G01R 31/28 L
2G011AA01
, 2G011AC06
, 2G011AE03
, 2G132AA00
, 2G132AD01
, 2G132AD03
, 2G132AE04
, 2G132AE22
, 2G132AF12
, 2G132AF13
, 2G132AL12
, 4M106AA01
, 4M106BA03
, 4M106CA10
, 4M106CA16
, 5C033UU04
, 5C033UU05
, 5C033UU06
