特許
J-GLOBAL ID：200903002925982693
化学蒸着方法及び化学蒸着用基板支持装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237776
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191051
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【課題】 ウエハに対する化学蒸着プロセスに於いて、ウエハの裏面及び外周部の不必要な皮膜が形成されないようにすると共に、皮膜をウエハの外周部の近傍に至るまで均一に形成する。【解決手段】 非活性ガスからなる被着制限ガスを、ウエハの外周エッジの近傍に設けられた狭窄開口を通過するように、ウエハの裏面のプラテンの側からプロセスチャンバ内に向けて導入する。エクスクルージョンガードをプラテンと整合させた形で併用し、狭窄開口は、エクスクルージョンガードの延長部とウエハとの間で画定される形となる。
請求項（抜粋）：
化学蒸着反応装置に於ける処理室内に置かれた、基板を支持するための装置であって、前記処理室内に配置されたウエハ支持体と、前記支持体と整合をなす形で配置されたエクスクルージョン本体とを有し、前記エクスクルージョン本体が、前記ウエハの前面の外辺部に延出し、かつ前記ウエハの前面の外辺部とは隔てられて設けられた延長部を有し、それによって、前記ウエハ前面の蒸着面と近接して設けられた前記処理室内の第1セクションと、前記ウエハのエッジ部分と近接して設けられた第2セクションとを連通せしめる均一な狭窄通路を形成することを特徴とし、前記第1セクションがプロセスガス源と連通し、前記第2セクションが被着制限ガス源と連通することを特徴とする装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/12
, C30B 25/14
, H01L 21/285
, H01L 21/31
