特許
J-GLOBAL ID:200903002936052299

キャパシタ、キャパシタ内蔵回路基板及びそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-057281
公開番号(公開出願番号):特開2002-260960
出願日: 2001年03月01日
公開日(公表日): 2002年09月13日
要約:
【要約】【課題】 静電容量が大きく、耐圧性が高く、漏れ電流が少ないキャパシタを提供すること。【解決手段】 回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも1種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。
請求項(抜粋):
回路基板の内部で、下方の配線層と上方の配線層との間に配置して使用されるキャパシタであって、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも1種類のバルブ金属からなる下部金属層、該下部金属層と同一もしくは異なる前記バルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層が、この順に積層されてなることを特徴とするキャパシタ。
IPC (3件):
H01G 9/00 321 ,  H01G 9/00 ,  H01L 21/316
FI (3件):
H01G 9/00 321 ,  H01L 21/316 T ,  H01G 9/24
Fターム (5件):
5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF70 ,  5F058BJ02
引用特許:
審査官引用 (1件)

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