特許
J-GLOBAL ID：200903002955063528

ナノグラファイバの製造方法、ナノグラファイバ、ナノグラファイバを使用した構造物

発明者：
坪井 利行

坪井 利行 について


出願人/特許権者：
双葉電子工業株式会社

双葉電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044333
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212837
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ナノグラファイバを多量に製造することが可能なナノグラファイバの製造方法を提供すること。【解決手段】 チャンバ13内を5〜50Torrのガス雰囲気にして、1対の位置制御装置11、11によって1対の炭素電極1、1を所定間隔に維持しながら、放電用電源装置4から直流電流を供給することによってアーク放電を発生させ、これにより、陰極堆積物中にナノグラファイバを生成させる。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に配設した1対の炭素電極間にアーク放電を生じさせることによりナノグラファイバを製造するナノグラファイバの製造方法において、5〜50Torrのガス雰囲気下でアーク放電を生じさせることによりナノグラファイバを製造するナノグラファイバの製造方法。
IPC (4件)：
D01F 9/127 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101
FI (4件)：
D01F 9/127 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F
Fターム (8件)：
4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4L037CS04 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA05 ,  4L037UA20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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