単結晶薄膜形成方法、ビーム照射装置、ビーム照射方法、およびビーム反射装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-058887
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268625
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】広大な多結晶薄膜を単結晶薄膜へ効率よく転換する。【構成】 ECRイオン源2によって生成された原子流は、まず反射ブロック106の側面によって中心軸から遠ざかる複数方向へ、しかも発散するように反射される。発散する原子流は、被照射対象である基板11の周囲に配置された4枚の反射板110によって再び反射される。反射板110の反射面は適度の凹面形状を有する。このため、発散する原子流がこの反射面に反射される結果、適度に集束されることにより、平行ビームとなって、しかも基板11の上面全体にわたって一様に降り注ぐ。多方向からの平行ビームの照射によって基板11の上にあらかじめ形成された非晶質または多結晶の薄膜が単結晶薄膜に転換される。【効果】大面積の基板の全面に単結晶薄膜を形成し得る。

請求項（抜粋）：

試料の被照射面に気体のビームを照射するビーム照射装置であって、前記試料を収納する容器と、前記容器内の所定の位置に設置された前記試料の前記被照射面へ気体のビームを照射するビーム源と、を備え、前記容器の内壁および当該容器内に収納される部材の中で、前記ビームの照射を受ける部分の少なくとも表面が、前記ビームの照射によるスパッタリングにおけるスレッショルド・エネルギーが前記ビームのエネルギーよりも高い材料で構成されることを特徴とするビーム照射装置。

IPC (8件)：

C23C 14/46 , B01J 19/08 , C30B 1/02 , C30B 28/02 , C30B 29/06 504 , C30B 29/06 , C30B 33/04 , H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-077726 出願人：住友金属工業株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034154 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭61-191013

審査官引用 (3件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-077726 出願人：住友金属工業株式会社
マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-034154 出願人：日電アネルバ株式会社
特開昭61-191013

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