プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212027
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041281
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】重畳高周波電力を用いることにより、超微細加工が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、被処理体に対して、例えばエッチング処理を施す際に、下部電極110に印加する高周波電力を、相対的に高い周波数の高周波電力成分を相対的に低い周波数の低周波電力成分に重畳した重畳高周波電力とし、さらに高周波電力成分が低周波電力成分よりも相対的に大きいように構成した。また、重畳高周波電力の高周波電力成分の各振幅を、低周波電力成分の振幅にあわせて最適の状態に修正及び変更することにより、あるいは重畳高周波電力を構成している低周波電力の正側波形を負側に折り返すことにより、高選択比及び高エッチングレートで所望の超微細加工を行うことが可能である。

請求項（抜粋）：

処理室内に対向配置された上部電極と下部電極とを備え、前記下部電極に高周波電力を印加することにより、両電極間に反応性プラズマを生成し、その反応性プラズマにより下部電極上に載置される被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記下部電極に印加される高周波電力は、第1高周波電源より発振された相対的に低い周波数の低周波電力に対して第2高周波電源より発振された相対的に高い周波数の高周波電力を重畳した重畳高周波電力であり、かつその重畳高周波電力の低周波電力成分の負側ピーク付近の高周波振幅が低周波電力成分の正側ピーク付近の高周波振幅より相対的に大きいことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-125626
特開平2-224239
特開平2-224239

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