特許

J-GLOBAL ID：200903002964199335

薄膜形成装置

発明者： 佐々木 浩司 ,  成井 啓修 ,  簗嶋 克典 ,  目々澤 聡彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-293280
公開番号（公開出願番号）：特開2004-076150
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】基板表面に原料ガスが均一に供給され、基板表面に形成される有機薄膜の膜厚を均一にすることができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】真空チャンバ11と、真空チャンバ11内に設けられた基板ホルダー12と、基板ホルダー12の基板装着面12aに向けてガスを供給するガス供給端22とを備えた薄膜形成装置であって、ガス供給端22は基板装着面12aに原料ガスが長尺状に供給されるように形成されていることを特徴とする薄膜形成装置である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられた基板ホルダーと、前記基板ホルダーの基板装着面に向けてガスを供給するガス供給端とを備えた薄膜形成装置であって、 前記ガス供給端は前記基板装着面にガスが長尺状に供給されるように形成されている ことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C16/455 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (5件)：

C23C16/455 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (14件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BD00 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DA05 ,  4K029DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030KA28 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 樹脂薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-127604   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-198483