特許

J-GLOBAL ID：200903002965026531

フッ化物薄膜の製造方法

発明者： 小西 明男 ,  寺井 良平 ,  河本 洋二
出願人/特許権者： 山村硝子株式会社
代理人 (1件)： 内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181364
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008252
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】炭素、酸素、有機物等の不純物混入が極めて少なく、高純度で、透明で、緻密なフッ化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】含フッ素ガスと揮発性有機金属化合物のガスとを、反応容器内で気相で反応させることによりフッ化物薄膜を製造する方法において、含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機金属化合物のガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上にフッ化物を堆積させることを特徴とするフッ化物薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

含フッ素ガスと揮発性有機金属化合物のガスとを、反応容器内で気相で反応させることによりフッ化物薄膜を製造する方法において、含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機金属化合物のガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上にフッ化物を堆積させることを特徴とするフッ化物薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/22 ,  C03C 3/32 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/17

FI (4件)：

C23C 16/22 ,  C03C 3/32 ,  H01S 3/17 ,  G02B 6/12 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フツ化物光フアイバ用プリフオーム製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-181345   出願人：日本電信電話株式会社
• 金属化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-336520   出願人：株式会社トリケミカル研究所