半導体記憶装置の動作制御方法および半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028190
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、複数の動作モードを備えた半導体記憶装置の動作制御方法および複数の動作モードを備えた半導体記憶装置に関し、コマンドの入力に必要な端子数、アドレス入力に必要な端子数を低減すること、および端子数の低減によっても高速な動作サイクルを維持することを目的とする。【解決手段】所定の端子から供給される信号をコマンドとして複数回に分けて取り込み、各回の前記コマンドに基づいて動作モードを順次絞り込んでいき、絞り込んだ動作モードにしたがい内部回路が制御される。動作モードの決定に必要な情報を複数回に分けて取り込み、動作モードを絞り込んでいくため、コマンドの入力の必要な端子数が低減される。特に、コマンドの入力に専用の端子を設けている場合には、入力パッド、入力回路等の回路が不要になり、チップサイズが低減される。

請求項（抜粋）：

内部回路を制御する複数の動作モードを備えた半導体記憶装置の動作制御方法において、所定の端子から供給される信号をコマンドとして複数回に分けて取り込み、各回の前記コマンドに基づいて動作モードを順次絞り込んでいき、該動作モードにしたがい前記内部回路の制御を行うことを特徴とする半導体記憶装置の動作制御方法。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 371 K

Fターム (6件)：

5B024AA07 , 5B024AA15 , 5B024BA21 , 5B024CA07 , 5B024CA16 , 5B024CA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-178464 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置並びに同期型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-013586 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開昭58-166579

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