コールドウォールCVDシステムにおける低温エッチング

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174143
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078808
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は、充分高いエッチング速度を維持しつつも安全衛生及び環境を損なわず、チャンバの劣化も抑制されるインシチュウ洗浄法を提供する。【構成】本発明の方法によれば、三弗化窒素、三弗化塩素、六弗化硫黄及び三弗化炭素から成る群より選択された少なくとも1つのエッチャントガスを用いて、充分なエッチング速度を維持しつつ、低温且つ低圧の実質的に水分の存在しないコールドウォールCVDチャンバをエッチング若しくは洗浄する。

請求項（抜粋）：

実質的に水分の存在しない化学気相蒸着チャンバ内において堆積された膜を所定のチャンバ圧力及び所定のチャンバ温度で清浄化する方法であって、三弗化窒素、三弗化塩素、六弗化硫黄及び四弗化炭素から成る群より選択された少なくとも1つの反応性ガスを前記堆積された膜に適用するステップを含む清浄化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平2-226721
半導体製造装置およびそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-186148 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-181734

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