特許
J-GLOBAL ID：200903003011891998

半導体チップキャリア、および半導体チップの実装構造

発明者：
小泉 孝雄

小泉 孝雄 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148105
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335537
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップの高周波特性を損なうことなく、かつインダクタンス値を増加させずに、半導体チップから発生するスイッチングノイズを除去する。【解決手段】 誘電体層4の裏面には、半導体チップキャリア2が実装される基板(不図示)に接続されるグラウンド線路10が形成されている。誘電体層4の表面には、半導体チップの信号電極(不図示)が接続される位置にコンデンサ用パターン7,8が形成されている。コンデンサ用パターン7,8とグラウンド線路10との間にコンデンサ11a,11bが形成される。
請求項（抜粋）：
誘電体層と該誘電体層の表面および裏面に形成された導体層とを有し、前記誘電体層の表面に形成された導体層の上に半導体チップがフリップチップ実装される半導体チップキャリアであって、前記誘電体層の裏面に形成された導体層には、前記半導体チップキャリアが実装される基板に形成されたグラウンド導体線に接続されるグラウンド線路が形成され、前記誘電体層の表面に形成された導体層には、前記半導体チップの信号電極が接続される位置にコンデンサ用パターンが形成されている半導体チップキャリア。
IPC (2件)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 21/60 311
FI (2件)：
H01L 23/12 301 C ,  H01L 21/60 311 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

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