特許
J-GLOBAL ID：200903003016070500
トンネル磁気抵抗素子とその製造方法および磁気メモリ装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141044
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332650
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 加工が容易なTMR素子構造を提供することにより、素子特性に寄与しない余分な電流の経路の形成を防止して、磁気メモリ装置の信頼性の向上が図れるTMR素子とその製造方法、磁気メモリ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 トンネル絶縁層303を第1強磁性体層302と第2強磁性体層304で挟んで構成されるTMR素子を製造する際に、トンネル絶縁層303を挟む第1強磁性体層302および第2強磁性体層304との界面の少なくとも一方の界面で、かつトンネル磁気抵抗素子13の形成領域の周囲に加工停止層21を形成し、第2強磁性体層304の加工する際に加工停止層21でその加工を停止する工程と、第2強磁性体層304を覆うマスク53を形成して加工停止層21より下層を加工する工程とを備えた製造方法によりTMR素子を製造することにより、またそのTMR素子を磁気メモリ装置に搭載することによる。
請求項（抜粋）：
トンネル絶縁層を強磁性体層で挟んで構成されるトンネル磁気抵抗素子において、前記トンネル絶縁層と、前記トンネル絶縁層を挟む強磁性体層との界面の少なくとも一方の界面で、かつトンネル磁気抵抗素子の形成領域の周囲に加工停止層を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01L 27/105
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR04
, 5F083PR06
, 5F083PR40
