特許
J-GLOBAL ID：200903074006617580
不完全オ-バラップ磁気RAMセル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288585
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 その中で少なくとも2通りの磁気状態を課できる可変性磁気領域を含む磁気抵抗デバイスの提供。【解決手段】 そのデバイスとの磁気抵抗電気相互作用が行われると、可変性磁気領域と最も近い基準磁気領域120との磁気状態の相対配向を感知でき、2進データ記憶能力が得られる。可変性磁気領域の好ましい一部分、たとえば、2通りの磁気状態が実質的に均一で互いに反対になると確実に予測できる一部分だけに電気相互作用を制限する。可変性磁気領域のこの好ましい一部分に電気相互作用の制限用構造を開示し、それは、より小さい相互作用領域と、可変性磁気領域の最も近くに配置された絶縁性および導電性の相互作用領域の交互領域とを含む。この原理は、ビット線とワード線の交点で巨大磁気抵抗セルまたは磁気トンネル接合セルを使用する磁気ランダム・アクセス・メモリアレイ等に、適用できる。
請求項（抜粋）：
第1の磁気領域の好ましい一部分のみにより、発生する磁気抵抗電気相互作用に基づいて、デバイス内で少なくとも1つの他の構造と協同して形成された第1の磁気領域を含む、磁気抵抗デバイス。
引用特許：
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