特許
J-GLOBAL ID:200903003048925841
パターン化されたポリシラザン膜の形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-262703
公開番号(公開出願番号):特開2002-072502
出願日: 2000年08月31日
公開日(公表日): 2002年03月12日
要約:
【要約】【課題】ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物を基板に塗布し、露光後現像することによりパターン化されたポリシラザン膜を形成する方法において、露光された感光性ポリシラザン組成物のポリシラザンの分解処理時間、パターン化ポリシラザン膜の現像残渣の排除及びパターン化ポリシラザン膜の基板との密着性の改善を図る。【構成】ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物を基板に塗布し、パターン露光した後、基板を加熱プレート上に置き、基板が例えば30°C以上に加熱された状態で、40%RH以上の湿度となるよう加湿操作された気体と接触させ、次いでアルカリ現像液にて現像することによりポジのパターン化されたポリシラザン膜を形成する。
請求項(抜粋):
感光性ポリシラザン組成物を基板に塗布し、露光後現像することによりパターン化されたポリシラザン膜を形成する方法において、露光された感光性ポリシラザン組成物膜を加湿処理した後現像を行うことを特徴とするパターン化されたポリシラザン膜の形成方法。
IPC (3件):
G03F 7/38 511
, G03F 7/075 511
, H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/38 511
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 568
Fターム (24件):
2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE01
, 2H025BE04
, 2H025BF30
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA29
, 2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA11
, 2H096FA01
, 2H096FA03
, 2H096FA04
, 2H096GA08
, 2H096HA01
, 5F046LA01
, 5F046LA18
引用特許:
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