特許

J-GLOBAL ID：200903003069319488

エッチング方法及びエッチング液

発明者： 石川 誠 ,  鎌田 浩史
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-106286
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328041
出願日： 2005年04月01日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】基板上に形成されたクロム、ニッケル、或いはクロム及び/又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の全面又は一部を被覆するように形成された貴金属又は貴金属合金よりなる上層膜との積層膜の、少なくとも下地膜をエッチングするに当たり、電触作用に起因するサイドエッチングを防止して所望のエッチングを行う。【解決手段】基板上に形成されたクロム、ニッケル、或いはクロム及び/又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の全面又は一部を被覆するように形成された貴金属又は貴金属合金よりなる上層膜との積層膜の、少なくとも下地膜をエッチングするためのエッチング液であって、硝酸濃度35重量%以上の水溶液からなるエッチング液と、このエッチング液を用いたエッチング方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたクロム、ニッケル、或いはクロム及び/又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の全面又は一部を被覆するように形成された貴金属又は貴金属合金よりなる上層膜との積層膜のうち、少なくとも前記下地膜を、硝酸濃度35重量%以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L21/306 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

FI (3件)：

H01L21/306 F ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

Fターム (16件)：

4K057WA10 ,  4K057WA13 ,  4K057WB03 ,  4K057WB08 ,  4K057WB15 ,  4K057WE02 ,  4K057WE12 ,  4K057WE25 ,  4K057WJ05 ,  4K057WM03 ,  4K057WN01 ,  5F043AA27 ,  5F043BB18 ,  5F043DD21 ,  5F043EE29 ,  5F043GG04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平01-086524号公報
  

審査官引用 (4件)

• クロム及びセリウムを含む溶液からのセリウムの回収方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109058   出願人：三菱化学株式会社
• マイクロ構造体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125967   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜配線パターンの形成方法および薄膜配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-097454   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-199043