特許
J-GLOBAL ID：200903003085392101

光学素子、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法

発明者：
レヴィヌス ピーター バッケル

レヴィヌス ピーター バッケル について


出願人/特許権者：
エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ

エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  岩本 行夫 ,  吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-321406
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142569
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】光学素子、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、波長λの範囲が5〜20nmのEUV放射に対して透過性の頂部層を備えた光学素子であって、頂部層の構造が、λ/2以下の空間周期に対してλ/10以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造である光学素子に関する。このような構造により、頂部層から光学素子への透過が促進される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
波長λの範囲が5〜20nmのEUV放射に対して少なくとも部分的に透過性の層と、二乗平均平方根粗さ値を有する構造を備えた頂部層とを備えた光学素子において、 前記頂部層が、波長λの範囲が5〜20nmのEUV放射に対して透過性であり、前記頂部層の前記構造が、λ/2以下の空間周期に対してλ/10以上の二乗平均平方根粗さ値を有する構造であることを特徴とする、光学素子。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  G02B5/02 ,  G02B5/08 ,  G03F7/20
FI (4件)：
H01L21/30 531A ,  G02B5/02 C ,  G02B5/08 B ,  G03F7/20 503
Fターム (12件)：
2H042BA04 ,  2H042BA16 ,  2H042DA12 ,  2H042DB08 ,  2H042DD01 ,  2H042DE04 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F046GB01 ,  5F046GB02 ,  5F046GB07 ,  5F046GB09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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