特許
J-GLOBAL ID：200903003089552790

磁気素子一体型半導体デバイス

発明者：
山沢 清人

山沢 清人 について

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佐藤 敏郎

佐藤 敏郎 について

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江戸 雅晴

江戸 雅晴 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184945
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 磁気素子一体型半導体デバイスで、安価かつ効果的な磁気シールドを可能にする。【解決手段】 半導体基板11上に、絶縁膜12を介して下部磁性体15,コイル導体16および上部磁性体17からなる平面インダクタ(磁気素子)を形成するに当たり、半導体基板11上に磁気シールド層14を形成するとともに、この磁気シールド層14の構成材料として高導電材料を用いることにより、磁気素子の集積回路への影響を低コストで、より効果的に低減できるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された集積回路上に、ほぼ平面状の磁気素子を形成してなる磁気素子一体型半導体デバイスにおいて、前記集積回路と磁気素子との間に絶縁膜を介して、高導電率材料からなる磁気シールド層を配置し、前記磁気素子を磁気遮蔽することを特徴とする磁気素子一体型半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00
FI (2件)：
H01F 17/00 B ,  H01L 27/04 L
Fターム (9件)：
5E070AA01 ,  5E070AB08 ,  5E070BA01 ,  5E070CB02 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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