特許
J-GLOBAL ID:200903021545727784

誘導素子の集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-371460
公開番号(公開出願番号):特開2000-208704
出願日: 1999年12月27日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、少なくとも誘導素子及び活性領域が一緒に存在し、集積回路の大きさに増加することなく電磁相互作用が減少される集積回路を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも一つの誘導素子と、抵抗性、容量性及び半導体の素子を含み得る活性領域とを有する誘導素子及び活性領域(5)の一部が重なり合う集積回路に係わる。集積回路は誘導素子は発生される電磁界に関して活性領域を絶縁する遮蔽手段(6)を有する。本発明は減少された寸法を有する集積回路の中で高いQを有する誘導素子の実施の可能性及び誘導素子と他の素子との間の電磁相互作用が減少する実施化を提供する。
請求項(抜粋):
少なくとも一つの誘導素子と抵抗性、容量性及び半導体の素子を含む活性領域と称される領域とを有し、誘導素子及び活性領域の一部が重なり合う集積回路であって、上記誘導素子が発生させる電磁界から上記活性領域を絶縁する遮蔽手段を有することを特徴とする集積回路。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許:
審査官引用 (3件)

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