特許

J-GLOBAL ID：200903003132519450

超微細加工法

発明者： 畠山 雅規
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043214
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241884
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 電気的に中性のエネルギー粒子線である高速原子線を用いて超微細加工を施し、次世代のVLSIや超微細構造素子或いは最子効果素子などを製造する。【構成】 超微細なフォトレジスト膜を施した被加工物に高速原子線を照射することにより、または被加工物を回転および又は並進移動させながら、超微細なビーム径の高速原子線を被加工物照射することにより、ほぼ0.1ないし10nmの範囲又はほぼ10ないし100nmの範囲の精度で超微細加工を施す。高速原子線は、イオンビームや電子線のようにチャージアップや電界或いは磁界の影響を受けないため、ビーム自体の直進性がきわめて優れており、超微細スケールの穴や溝に容易に真っすぐに入射させることができ、また半導体材料や絶縁物材料に対して電気的悪影響を及ぼすことなく高精度の微細加工が可能である。

請求項（抜粋）：

超微細なフォトレジスト膜を施した被加工物に高速原子線を照射することにより、または被加工物を回転および又は並進移動させながら、超微細なビーム径の高速原子線を被加工物照射することにより、ほぼ0.1ないし10nmの範囲又はほぼ10ないし100nmの範囲の精度で超微細加工を施すことを特徴とする超微細加工法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/02 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 D ,  C23F 4/02 ,  H01L 21/30 569 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-012138
  
• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-025936   出願人：日本電気株式会社