特許
J-GLOBAL ID：200903003133950898
ばね構造導電性高分子アクチュエータ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生井 和平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-165325
公開番号（公開出願番号）：特開2009-005525
出願日： 2007年06月22日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】高弾性力を有し応答性も良く、量産し易いばね構造導電性高分子アクチュエータを提供する。【解決手段】ばね構造導電性高分子アクチュエータは、弾性材料からなり、ばね状にパターンニング形成するばね基材2を用いる。そして、ばね基材2よりも高い導電性を有する導体層5がばね基材上に形成される。さらに、導体層5を電極として用いる電解重合によりばね基材2上に導電性高分子層6が形成される。導電性高分子層6は、ばね基材2や導体層5を覆うように設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ばね構造導電性高分子アクチュエータであって、該アクチュエータは、
弾性材料からなり、ばね状にパターンニング形成するばね基材と、
前記ばね基材よりも高い導電性を有し、前記ばね基材上に形成される導体層と、
前記導体層を電極として用いる電解重合により前記ばね基材上に形成される導電性高分子層と、
を具備することを特徴とするばね構造導電性高分子アクチュエータ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4F100AB11A
, 4F100AB25
, 4F100AG00D
, 4F100AK01C
, 4F100AR00A
, 4F100AR00B
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100DC21A
, 4F100DC21B
, 4F100DC21C
, 4F100EH902
, 4F100EJ151
, 4F100GB51
, 4F100JG01B
, 4F100JG01C
, 4F100JK06
, 4F100JK07A
, 4F100JL02
