特許
J-GLOBAL ID：200903064486903329
導電性高分子複合構造体、積層体及び導電性高分子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮崎 伊章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376062
公開番号（公開出願番号）：特開2004-216868
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 導電性高分子素子を、サイズを大きくしたアクチュエータ素子として用いた場合であっても、実用可能な伸縮若しくは屈曲の変位をすることができる素子を提供する。外径または幅が1mm未満の小さなサイズ素子として、導電性高分子の電解伸縮により伸縮または屈曲の駆動をするアクチュエータ素子を提供する。【解決手段】 導電性高分子含有層を含み、前記導電性高分子含有層が導電性基体と導電性高分子とを含む導電性高分子複合構造を備え、前記導電性基体が伸縮性を有し、前記導電性基体の導電率が1.0×103S/cm以上である導電性高分子複合構造を用いる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
導電性基体と導電性高分子とを含む導電性高分子複合構造体であって、前記導電性基体が伸縮性を有し、前記導電性基体の導電率が1.0×103S/cm以上である導電性高分子複合構造体。
IPC (5件)：
B32B27/06
, B25J7/00
, B25J19/00
, B32B7/02
, B81B3/00
B32B27/06
, B25J7/00
, B25J19/00 A
, B32B7/02 104
, B81B3/00
3C007BS30
, 3C007HS00
, 3C007XG01
, 4F100AB16
, 4F100AK01A
, 4F100AK80A
, 4F100AR00B
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100GB41
, 4F100JG01A
, 4F100JK08A
, 4F100YY00A
