発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：豊栖康弘 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-010750
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158872
出願日： 2004年01月19日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】優れた発光性能を有し、歩留良く所望の形、サイズに切断することができる発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされ、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側にn型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、基板の分離部が、n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側に、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされることにより形成された、n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、前記基板の分離部が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されていることを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/301

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L21/78 L

Fターム (7件)：

5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA02 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平03-108779号公報

審査官引用 (10件)

特開平3-203388
特開昭64-017484
特開昭62-063446

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