特許
J-GLOBAL ID：200903003142296564
基板の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139902
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 ホルムアルデヒド発散性樹脂を含有する基板の有効な処理方法を提供し、当該基板のホルムアルデヒド発散量を少なくする。【解決手段】 基板を加熱することで基板中のホルムアルデヒド分子の熱運動を励起し、基板内から外部空間に放出せしめる。真空状態下にて基板を加熱すると効果的である。加熱手段としては赤外線を利用するのがよい。さらに基板を加熱する場合、基板1の下側表面Aのみから赤外線を照射して、下側表面Aが高温で上側表面Bが低温となるように温度勾配を付けて基板1を加熱すると、ホルムアルデヒド分子2が熱拡散に伴い下側表面Aから上側表面Bへ移行して上側表面Bから放出される。この温度勾配加熱に併せて、基板の上側表面側から電離放射線を照射すると一層効果的である。
請求項（抜粋）：
ホルムアルデヒド発散性樹脂を含有する基板のホルムアルデヒド量を低減させる処理方法であって、前記基板を加熱することを特徴とする基板の処理方法。
IPC (4件)：
C08J 7/00 305
, C08J 7/00 CFA
, C08J 7/00 301
, B27K 5/00
C08J 7/00 305
, C08J 7/00 CFA
, C08J 7/00 301
, B27K 5/00 E
, B27K 5/00 F
