特許

J-GLOBAL ID：200903003171914480

半導体装置

発明者： 櫛田 桂一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059257
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258165
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 高い放熱効率が得られる半導体装置を提供する。【解決手段】 表面側に素子が形成された半導体チップ1の裏面には、複数個の穴4が形成され、この穴4に半導体チップより熱抵抗の小さい熱伝導体層5が埋め込まれる。半導体チップ1は、表面に形成された端子パッドを下向きにしてバンプ3を介してパッケージ基台11に搭載される。半導体チップ1の裏面の熱伝導体層5に接して放熱体13が取り付けられる。

請求項（抜粋）：

一方の面側に素子が形成された半導体チップと、この半導体チップの他方の面に複数個形成された穴に埋め込まれた、半導体チップより熱抵抗の小さい熱伝導体層と、前記半導体チップが前記一方の面に形成された端子パッドを下向きにしてバンプを介して搭載されたパッケージ基台と、前記半導体チップの他方の面に前記熱伝導体層に接して取り付けられた放熱体と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/40

FI (3件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/40 E ,  H01L 23/36 D

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BA03 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BC03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196943   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平2-244747