特許

J-GLOBAL ID：200903003180983010

金属用研磨液及び化学的機械的研磨方法

発明者： 松野 孝洋 ,  稲葉 正
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134810
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288537
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】迅速な銅研磨速度、及び、良好な銅/タンタル研磨選択性を有し、更に、ディッシングが少なく平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液を提供する。【解決手段】(A)酸化剤、(B)有機酸、(C)砥粒、及び(D)三価の鉄化合物を0.1ppbから50ppmの範囲で含む、半導体デバイスの配線工程における化学的機械的研磨に用いられる金属用研磨液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)酸化剤と、(B)有機酸と、(C)砥粒とを含み、(D)三価の鉄化合物を0.1ppbから50ppmの範囲で含む、半導体デバイスの配線工程における化学的機械的磨に用いられる金属用研磨液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550C

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058CA04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308667   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-374714   出願人：旭化成株式会社