特許

J-GLOBAL ID：200903003185938810

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 樫本 登 ,  小林 道哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195493
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板のような安価な基板材料上に、良好な品質のSiOx 層を簡易な製造方法で形成して、安定性が高く動作特性の良好なp-SiTFTを実現する。【構成】 p-Si層102が形成されてその上にSiOx 層103が堆積されるまでの間に不純物パーティクル107のような汚染物質に汚染されていたp-Si層102の表面の古い界面106は酸化層104の一部分として取り込まれ、それよりも深い部分の汚染されていないp-Si層102に清浄な新しい界面105が新たに形成される。

請求項（抜粋）：

620°C以下の温度で電気絶縁性基板上に非晶質シリコン層を堆積形成し、該非晶質シリコン層を固相成長させて多結晶シリコン層を形成する工程と、前記多結晶シリコン層上に 620°C以下の温度で酸化シリコン層を堆積形成する工程と、前記多結晶シリコン層および前記酸化シリコン層に対して、500 °C以上620 °C以下の温度の酸素雰囲気中あるいは水蒸気雰囲気中あるいは塩酸を添加した酸素雰囲気中にて熱酸化処理を施して、前記多結晶シリコン層を該多結晶シリコン層と前記酸化シリコン層との界面から少なくとも 2nm乃至10nmの深さにわたって酸化する工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-241873
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041612   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-241873