半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041612
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260644
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】ポリシリコン膜上でのシリコン酸化膜の低温形成と高品質化およびデバイス特性の向上を計る。【構成】シリコン基板1上にアモルファスシリコン膜3を成膜する。次で加熱し結晶化させてポリシリコン膜4を形成後、CVD酸化膜5を堆積し、続いて熱酸化法によりポリシリコン膜上にシリコン酸化膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたポリシリコン膜上にシリコン酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、ポリシリコン膜上に熱酸化法以外の方法でシリコン酸化膜を形成したのちこのポリシリコン膜を熱酸化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , H01L 21/283 , H01L 21/314 , H01L 29/40

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-040580
特開昭53-133169
特開昭64-035959

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