特許

J-GLOBAL ID：200903003191064857

光触媒薄膜、光触媒反応方法、並びに光触媒薄膜の製造方法

発明者： 安保 正一 ,  山下 弘巳
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-002242
公開番号（公開出願番号）：特開平11-197512
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【課題】 可視光領域の光照射によっても安定的に作用し、一酸化窒素の分解反応において窒素の生成する選択性が高い光触媒薄膜を提供すること、該光触媒薄膜に紫外光から可視光の波長領域の光を照射することによる光触媒反応方法を提供すること、ならびに、該光触媒薄膜の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板上に作製した酸化チタン薄膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、およびCuからなる群から選ばれる金属の金属イオンをイオン注入した後に、アニール処理して得られる光触媒薄膜、該光触媒薄膜に、反応基質存在下で紫外光から可視光の波長領域を含む光を照射して行なう光触媒反応方法、ならびに、基板上に作製した酸化チタン薄膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、およびCuからなる群から選ばれる金属の金属イオンをイオン注入した後に、アニール処理する光触媒薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に作製した酸化チタン薄膜に、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、およびCuからなる群から選ばれる金属の金属イオンをイオン注入した後に、アニール処理して得られることを特徴とする光触媒薄膜。

IPC (8件)：

B01J 35/02 ,  B01D 53/86 ,  B01D 53/94 ,  B01J 23/22 ,  B01J 23/26 ZAB ,  C02F 1/58 ,  C03C 17/245 ,  C07B 35/06

FI (8件)：

B01J 35/02 J ,  B01J 23/22 Z ,  B01J 23/26 ZAB A ,  C02F 1/58 A ,  C03C 17/245 A ,  C07B 35/06 ,  B01D 53/36 J ,  B01D 53/36 102 D