特許

J-GLOBAL ID：200903003204808753

連続高伝導金属配線およびその製法

発明者： シプリアン・イー・ウゾフ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087234
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284603
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 構造全体に延びる連続する単結晶導電材料を有する配線構造の製造方法を提供する。【解決手段】 底部が開放されたバイア・ライナ構造を使用することにより達成される。

請求項（抜粋）：

(a)バイアの側壁のみに付着させたライナ材料を有し、少なくとも1個の金属レベルの上面に位置する少なくとも1個のバイア・レベルからなる、底部が開放されたバイア・ライナ構造を設ける工程と、(b)工程(a)で設けた上記構造に導電性材料を付着させる工程と、(c)上記導電性材料の上に金属ライン層を形成する工程と、(d)任意で工程(c)で設けた構造をカプセル封じする工程と、(e)上記構造のラインおよびバイアを通って延びる連続した単結晶または多結晶導電性材料を形成するのに有効な条件で、上記金属ライン層または上記カプセル封じした構造をアニールする工程と、(f)工程(c)で設けた構造を平坦化する工程とを含む、連続した単結晶または多結晶導電性材料を配線構造のラインとバイアとの間に形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-011737
  
• 特開平3-011737
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215793   出願人：日本電気株式会社
• 多層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-049935   出願人：日本電気株式会社