特許
J-GLOBAL ID：200903003210338629

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
恩田 和彦

恩田 和彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312373
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波ミリ波領域で高速動作する電界効果トランジスタの構造及びその製造方法に関する。【構成】 GaAsまたはInP基板1上に作製された電界効果トランジスタに於いて、ゲート電極8とオーミック電極9,10が同じ電極材料によって構成され、電極金属が最下層をモリブデンとする少なくとも1層以上の積層構造である。また、所望の位置にゲートの開口パターンを形成する工程と、該ゲート開口パターンに対して両側の所望の位置にオーミックの開口パターンを形成する工程と、前記ゲート開口パターン及び前記オーミック開口パターンに電極金属を形成することで、ゲート電極とオーミック電極を同時に形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
GaAsまたはInP基板上に作製された電界効果トランジスタに於いて、ゲート電極とソース電極とドレイン電極が同じ電極金属によって構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/778
FI (4件)：
H01L 29/80 M ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H
引用特許：
審査官引用 (5件)
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