特許

J-GLOBAL ID：200903003215930470

プラズマ処理装置

発明者： 後藤 真志
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (3件)： 松永 宣行 ,  小合 宗一 ,  佐藤 玲太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113906
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319870
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】複数の導波管からマイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ処理装置において、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置(10)は、プラズマを生成する気密容器(12)と、気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材(14)と、誘電性部材を介して気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管(16)と、各導波管に接続された電磁波源と、誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量を制限する電磁波制限手段(30,34,42)とを具備してなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

プラズマを生成する気密容器と、 この気密容器壁の一部となるように設けられた誘電性部材と、 この誘電性部材を介して前記気密容器内に電磁波を導入するように設けられた複数の導波管と、 この各導波管に接続された電磁波源と、 前記誘電性部材に設けられた他の導波管から伝播される電磁波電力量を制限する電磁波制限手段と を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  H01L21/302 101D

Fターム (19件)：

4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F045AA09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-094530
  
• マイクロ波プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-079692   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-100895   出願人：シャープ株式会社, 大見忠弘