特許
J-GLOBAL ID:200903097225620643
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-079692
公開番号(公開出願番号):特開2000-273646
出願日: 1999年03月24日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】 プラズマ密度の均一性を高める。【解決手段】 平面視輪郭が円形の処理室の上部を、誘電体のマイクロ波導入板が覆っており、マイクロ波はこのマイクロ波導入板を介して処理室へと導入され、その結果、処理室にプラズマが生成される。導入されたマイクロ波は、マイクロ波導入板とプラズマとの界面に沿って、表面波として伝搬する。マイクロ波導入板の処理室へ対向する主面に接して、導体板60が配設されている。導体板60には、径方向に延在し周方向に等間隔で配列する、複数の線状突起21が備わっている。導体板60の厚さは、表面波のスキンデプス以上に設定される。このため、表面波の無数のモードの中で、線状突起21に節を有するモードが選択的に伝搬する。モードに選択性があるために、プラズマ密度の均一性が高まる。
請求項(抜粋):
誘電体が内挿された誘電体線路に導入されるマイクロ波を、処理対象である試料を収納可能な処理室へ、誘電体のマイクロ波導入板を介して導入することにより、前記処理室にプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前記試料に処理を行うためのプラズマ処理装置であって、前記マイクロ波導入板の前記処理室側の主面に沿って、等間隔で配列する複数の線状突起が、前記処理室に導入された前記マイクロ波のスキンデプス以上の高さで、配設されている、マイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (4件):
C23C 16/511
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H05H 1/46
FI (4件):
C23C 16/511
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 B
, H01L 21/302 B
Fターム (21件):
4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030FA01
, 4K030KA30
, 4K030KA45
, 4K030KA47
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB14
, 5F004BB29
, 5F004BD01
, 5F004CA06
, 5F045AA09
, 5F045BB01
, 5F045DP04
, 5F045EB03
, 5F045EC05
, 5F045EH03
, 5F045EH06
, 5F045EH19
引用特許:
審査官引用 (12件)
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マイクロ波プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-148474
出願人:住友金属工業株式会社, 日本電気株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-257329
出願人:住友金属工業株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-048887
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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