特許

J-GLOBAL ID：200903003223164751

リン酸の精製方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 水谷 晶代
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-028097
公開番号（公開出願番号）：特開平7-237910
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 リン酸中の放射性元素を除去することができるリン酸の精製方法、及び半導体装置の製造工程中のリン酸処理によって半導体装置内に残留した放射性元素を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 リン酸溶液中の第1の放射性元素をリン酸から分離し、分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第2の放射性元素を除去する。リン酸溶液中の放射性元素を低減することができる。半導体基板上の被リン酸処理層をリン酸溶液によりエッチングし、リン酸処理工程後の被リン酸処理層の表面又は半導体基板を含む被リン酸処理層の下地層に対し、リン酸処理工程による放射性元素を除去する。リン酸処理によりリン酸溶液中の放射性元素が半導体装置内に残留している場合であっても、この放射性元素を簡易かつ的確に低減させることができる。

請求項（抜粋）：

リン酸溶液中の第1の放射性元素をリン酸から分離する分離工程と、前記分離工程後のリン酸溶液に対して熱処理を施して第2の放射性元素を除去する熱処理工程とを有することを特徴とするリン酸の精製方法。

IPC (6件)：

C01B 25/234 ,  C02F 1/42 ,  G21F 9/08 511 ,  G21F 9/12 ZAB ,  G21F 9/12 512 ,  H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭53-055495
  
• シリコンウェハのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-014263   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 特開平1-131009
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-339113   出願人：富士通株式会社