特許

J-GLOBAL ID：200903003230119400

磁気メモリセル及びそれを用いた磁気記憶装置、磁気記憶方法

発明者： 小幡 一智 ,  多々良 源
出願人/特許権者： 公立大学法人首都大学東京
代理人 (8件)： 田中 貞嗣 ,  小山 卓志 ,  菅井 英雄 ,  青木 健二 ,  韮澤 弘 ,  米澤 明 ,  飯高 勉 ,  片寄 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-085278
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239135
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】スピン軌道相互作用によって、磁性層中の磁壁を低い電流で移動させると共に、ラチェット駆動させることで低消費電力・高記憶密度を実現する磁気メモリセルを提供する。【解決手段】本発明は、基準層として磁化状態が固定されている第1磁性層10と、データ記憶層として磁化状態が変化する第2磁性層30と、第1磁性層10と第2磁性層30との間に挟まれたトンネル障壁層20と、を有する磁気メモリセル1において、第2磁性層30の磁化状態を変化させるときに第2磁性層30のスピン軌道相互作用を制御することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基準層として磁化状態が固定されている第1磁性層と、 データ記憶層として磁化状態が変化する第2磁性層と、 前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に挟まれたトンネル障壁層と、を有する磁気メモリセルにおいて、 前記第2磁性層の磁化状態を変化させるときに前記第2磁性層のスピン軌道相互作用を制御することを特徴とする磁気メモリセル。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H01L29/82 Z

Fターム (12件)：

4M119AA01 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119KK15 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BC04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-180130   出願人：独立行政法人科学技術振興機構