特許

J-GLOBAL ID：200903099200193670

スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置

発明者： 前川 禎通 ,  猪俣 浩一郎 ,  高橋 三郎
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180130
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019561
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】スピン注入効率を高めることでスピン注入磁化反転が可能である新規なスピン注入素子及びそれを用いた磁気装置を提供する。【解決手段】非磁性導電体4を共通の電極とし他方の電極を強磁性体6とするトンネル接合を有する第1の接合2と、非磁性導電体4を共通の電極とし他方の電極を強磁性体7とする第2の接合3と、を備え、第1の接合2及び第2の接合3が、非磁性導電体4のスピン拡散長よりも短い間隔を置いて配置され、第1の接合2は強磁性体6から非磁性導電体4にスピンを注入するトンネル接合であり、第2の接合3の強磁性体7は注入されたスピン電流の吸収体である。低電流で大きな信号電圧が得られる。磁気装置として使用すれば、高感度磁界センサ、高感度磁気ヘッド、信号電圧の大きいMRAMなどを提供できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

非磁性導電体を共通の電極とし他方の電極を強磁性体とするトンネル接合を有する第1の接合と、 上記非磁性導電体を共通の電極とし他方の電極を強磁性体とする第2の接合と、を備え、 上記第1の接合及び上記第2の接合が、上記非磁性導電体のスピン拡散長よりも短い間隔を置いて配置され、 上記第1の接合は上記強磁性体から上記非磁性導電体にスピンを注入するトンネル接合であり、 上記第2の接合の強磁性体は注入されたスピン電流の吸収体であることを特徴とする、スピン注入素子。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 U ,  G11B5/39 ,  H01L27/10 447

Fターム (5件)：

5D034BA05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008172   出願人：株式会社日立製作所