特許

J-GLOBAL ID：200903003233910354

薄膜気相成長装置

発明者： 篠崎 弘行 ,  奈佐 和也
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227079
公開番号（公開出願番号）：特開平9-053181
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 サセプタ或いはこれに載架する基板に不釣合量が生じても、円滑にサセプタを高速回転させることができる薄膜気相成長装置を提供する。【解決手段】 外界と雰囲気を異にする反応室3と、反応室3に配置され薄膜を形成する基板Sを載架して回転するサセプタ8とを具備する薄膜気相成長装置において、サセプタ8を備えた回転軸を非接触支持するための磁気軸受を有する浮上機構と、サセプタ8を備えた回転軸を高速で回転するための駆動機構と、サセプタ8及び基板Sを含めた回転体の諸元を推定する推定機構とを備えたものとする。

請求項（抜粋）：

外界と雰囲気を異にする反応室と、該反応室に配置され薄膜を形成する基板を載架して回転するサセプタとを具備する薄膜気相成長装置において、前記サセプタを備えた回転軸を非接触支持するための磁気軸受を有する浮上機構と、該サセプタを備えた回転軸を高速で回転するための駆動機構と、前記サセプタ及び基板を含めた回転体の諸元を推定する推定機構とを備えたことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/44 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気軸受装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-159827   出願人：株式会社東芝