特許

J-GLOBAL ID：200903003237464324

接触転写装置

発明者： 高畑 俊哉 ,  鈴木 隆史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284820
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146786
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】環境や耐久によらず高品質で信頼性の高い接触転写装置を提供する。複雑な制御の必要のない電源を用い、低コストで小型な接触転写装置を提供する。【構成】転写ローラ104にバイアス印加手段105により電界を形成し、潜像担持体101上のトナー106を被転写体107に転移させる転写装置において、前記バイアス印加手段105が定電流バイアスで構成され、かつ前記転写ローラ104の前記定電流バイアスの設定電流I1の電流値で測定時の抵抗をR1(Ω)、前記設定電流I1の0.5倍の電流値で測定した時の転写ローラの抵抗をR0.5(Ω)、前記設定電流I1の2倍の電流値で測定した時の転写ローラの抵抗をR2(Ω)としたとき、log(R1)≧log(R0.5/R2)+8.0とする。

請求項（抜粋）：

転写部材にバイアス印加手段により電界を形成し、潜像担持体上のトナーを被転写体に転移させる転写装置において、前記バイアス印加手段が定電流バイアスで構成され、かつ前記転写部材の前記定電流バイアスの設定電流I1の電流値で測定時の抵抗をR1(Ω)、前記設定電流I1の0.5倍の電流値で測定した時の転写部材の抵抗をR0.5(Ω)、前記設定電流I1の2倍の電流値で測定した時の転写部材の抵抗をR2(Ω)としたとき、log(R1)≧log(R0.5/R2)+8.0であることを特徴とする接触転写装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 画像形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-176416   出願人：富士通株式会社
• 導電性ゴム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356917   出願人：クレハエラストマー株式会社