特許

J-GLOBAL ID：200903003263950768

半導体装置用放熱基板の製造方法

発明者： 土井 良彦 ,  林 武彦 ,  有川 正 ,  市田 晃 ,  柴田 憲一郎
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268115
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 熱膨張率を広い範囲に制御することができ、均質で歪みの少ない半導体装置用放熱基板を製造する方法を提供する。【構成】 半導体素子を搭載または保持するための半導体装置用放熱基板の製造方法において、タングステンまたはモリブデンのいずれかの金属からなる基材2の両面に銅またはチタンのいずれかの金属からなる合せ材1を熱間一軸加工法によって接合する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載または保持するための半導体装置用放熱基板の製造方法であって、タングステンおよびモリブデンのいずれかの金属からなる第1の部材の互いに対向する一方と他方の主表面に、銅およびチタンのいずれかの金属からなる第2の部材を熱間一軸加工法によって接合する、半導体装置用放熱基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H05K 7/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178112   出願人：株式会社東芝, 東芝マテリアルエンジニアリング株式会社