特許
J-GLOBAL ID：200903003274569616
酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-107527
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272623
出願日： 2009年04月27日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：
【課題】 酸拡散を利用するダブルパターニング工程による半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に相互離隔している複数の第1マスクパターンを形成する。第1マスクパターンの側壁及び上面に酸ソースを含むキャッピング層を形成する。キャッピング層上に第2マスク層を形成する。キャッピング層内にある酸ソースから得られる酸をキャッピング層から第2マスク層の内部に拡散させて、第2マスク層に酸拡散領域を形成する。第2マスク層の酸拡散領域を除去して、第2マスク層の残留部分で形成される複数の第2マスクパターンを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に前記基板の主面と平行方向に沿って第1空間を介して相互離隔している複数の第1マスクパターンを形成するステップと、
前記複数の第1マスクパターンの側壁及び上面に酸ソースを含むキャッピング層を形成するステップと、
前記キャッピング層上に前記第1空間を満たす第2マスク層を形成するステップと、
前記酸ソースから得られる酸を前記キャッピング層から前記第2マスク層の内部に拡散させて、前記キャッピング層から前記第2マスク層の内部まで延びる酸拡散領域を形成するステップと、
前記第2マスク層の酸拡散領域を除去して、前記第1空間に残っている前記第2マスク層の残留部分で形成される複数の第2マスクパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体素子の微細パターン形成方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502C
, H01L21/30 514A
