特許
J-GLOBAL ID:200903003286614595

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 児玉 俊英 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-223793
公開番号(公開出願番号):特開2003-037228
出願日: 2001年07月25日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】【課題】 基板に半導体素子が実装され、半導体素子を包囲する筐体が配置され、半導体素子と筐体との間に熱伝導部材を配置した半導体装置において、半導体素子素子と筐体との間に間隙にばらつきがあっても半導体素子の発生熱が放熱部に熱伝達される半導体装置を構成する。【解決手段】 基板11上に実装された半導体素子2と、基板11とで半導体素子2の一部または全体を包囲する筐体13と、半導体素子2の表面に面接触する熱伝導部材16と、熱伝導部材16と筐体13との間に、加熱によって膨張または発泡する構造的熱不可逆材料を有する加圧部材17を配置して、構造的熱不可逆材料が体積膨張する温度に加熱して、熱伝導部材16が半導体素子2の表面に安定して均一且つ適正圧力の接触圧力を与えて低接触熱抵抗の熱伝導路が形成できる構成とした。
請求項(抜粋):
基板上に実装された半導体素子と、上記基板とで上記半導体素子の一部または全体を包囲する筐体と、該筐体内に配設され、且つ上記半導体素子の表面に面接触する良熱伝導性を有する熱伝導部材と、該熱伝導部材と上記筐体との間に配設され、加熱によって膨張および発泡する構造的熱不可逆材料を有する加圧部材とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/373 ,  H01L 23/40 ,  H05K 7/20
FI (4件):
H01L 23/40 E ,  H05K 7/20 E ,  H05K 7/20 F ,  H01L 23/36 M
Fターム (11件):
5E322AA03 ,  5E322AB04 ,  5E322AB06 ,  5E322FA05 ,  5E322FA06 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC09 ,  5F036BC24 ,  5F036BC33
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • クッション性熱伝導材
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-338140   出願人:日東化工材株式会社
  • 熱伝導材
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-312422   出願人:北川工業株式会社

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